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综述介绍

FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是飞兆半导体公司的FQN1N60CBU的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：散装；系列：QFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：散装
系列：QFET®
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：300mA（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：11.5 欧姆 @ 150mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：170pF @ 25V
功率-最大值：1W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3

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