FDFMA2P853T
发布时间:2015-08-23
简介:
本文是飞兆半导体公司的FDFMA2P853T的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:PowerTrench®;FET类型:MOSFET P 通道,金属氧化物;FET功能:二极管(隔离式);漏源极电压(Vdss):20V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 单/
- 主要规格参数:
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- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:PowerTrench®
- FET类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET功能:二极管(隔离式)
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):120 毫欧 @ 3A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):435pF @ 10V
- 功率-最大值:700mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-MicroFET(2x2)