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综述介绍

APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTM100H45SCTG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：散装；系列：POWER MOS 7®；FET类型：4 个 N 通道（H 桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：散装
系列：POWER MOS 7®
FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：18A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：540 毫欧 @ 9A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：154nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4350pF @ 25V
功率-最大值：357W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP4
供应商器件封装：SP4

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