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CAS120M12BM2

CAS120M12BM2

发布时间:2015-08-19
简介:

本文是科锐公司的CAS120M12BM2的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下:包装:散装;系列:Z-Rec®;FET类型:2 个 N 通道(半桥);FET功能:碳化硅 (SiC);漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV);


  • 厂商:科锐公司
  • 类别: 分立半导体产品/FET - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:散装
  • 系列:Z-Rec®
  • FET类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET功能:碳化硅 (SiC)
  • 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):193A
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):16 毫欧 @ 120A,20V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.6V @ 6mA(标准)
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):378nC @ 20V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):6300pF @ 1000V
  • 功率-最大值:925W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:模块
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