BSM120D12P2C005

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是罗姆半导体集团的BSM120D12P2C005的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：2 个 N 通道（半桥）；FET功能：碳化硅（SiC）；漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：2 个 N 通道（半桥）
FET功能：碳化硅（SiC）
漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 22mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：14000pF @ 10V
功率-最大值：780W
安装类型：*
封装/外壳：模块
供应商器件封装：模块

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