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APTC60AM18SCG

APTC60AM18SCG

发布时间:2015-08-19
简介:

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTC60AM18SCG的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下:包装:散装;系列:CoolMOS™;FET类型:2 个 N 通道(半桥);FET功能:碳化硅 (SiC);漏源极电压(Vdss):600V;


  • 厂商:美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别: 分立半导体产品/FET - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:散装
  • 系列:CoolMOS™
  • FET类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET功能:碳化硅 (SiC)
  • 漏源极电压(Vdss):600V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):143A
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):18 毫欧 @ 71.5A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.9V @ 4mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):1036nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):28000pF @ 25V
  • 功率-最大值:833W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP6
  • 供应商器件封装:SP6
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