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APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTM120DA30CT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下：包装：散装；系列：POWER MOS 8™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）；


  • 厂商：美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：POWER MOS 8™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：31A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：360 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：560nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：14560pF @ 25V
  • 功率-最大值：657W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP1
  • 供应商器件封装：SP1
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