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APTM120H29FG

APTM120H29FG

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTM120H29FG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下：包装：散装；系列：POWER MOS 7®；FET类型：4 个 N 通道（H 桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）；


  • 厂商：美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：POWER MOS 7®
  • FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：34A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：348 毫欧 @ 17A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 5mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：374nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：10300pF @ 25V
  • 功率-最大值：780W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP6
  • 供应商器件封装：SP6
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