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IXTN200N10T

IXTN200N10T

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是IXYS的IXTN200N10T的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：TrenchMV™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：TrenchMV™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.5 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：152nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：9400pF @ 25V
  • 功率-最大值：550W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装：SOT-227B
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