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综述介绍

IXFN23N100

IXFN23N100

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是IXYS的IXFN23N100的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：23A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：23A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 8mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：595W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B

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