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综述介绍

IXTN210P10T

IXTN210P10T

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是IXYS的IXTN210P10T的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：管件；系列：TrenchP™；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：管件
系列：TrenchP™
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：210A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.5 毫欧 @ 105A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：740nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：69500pF @ 25V
功率-最大值：830W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B

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