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VMM45-02F

VMM45-02F

发布时间:2015-08-19
简介:

本文是IXYS的VMM45-02F的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下:包装:散装;系列:HiPerFET™;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):200V;


  • 厂商:IXYS
  • 类别: 分立半导体产品/FET - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:散装
  • 系列:HiPerFET™
  • FET类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):200V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):45A
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):45 毫欧 @ 22.5A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 4mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):7500pF @ 25V
  • 功率-最大值:190W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:TO-240AA
  • 供应商器件封装:TO-240AA
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