VMM45-02F
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是IXYS的VMM45-02F的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下:包装:散装;系列:HiPerFET™;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):200V;
- 厂商:IXYS
- 类别:
分立半导体产品/FET - 模块/
- 主要规格参数:
-
- 包装:散装
- 系列:HiPerFET™
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):200V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):45A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):45 毫欧 @ 22.5A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 4mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):7500pF @ 25V
- 功率-最大值:190W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:TO-240AA
- 供应商器件封装:TO-240AA