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APTC60AM45B1G

APTC60AM45B1G

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTC60AM45B1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下：包装：散装；系列：CoolMOS™；FET类型：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；


  • 厂商：美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：CoolMOS™
  • FET类型：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：600V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：49A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：45 毫欧 @ 24.5A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 3mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：150nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：7200pF @ 25V
  • 功率-最大值：250W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP1
  • 供应商器件封装：SP1
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