APTMC120AM09CT3AG

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTMC120AM09CT3AG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：*；FET类型：2 N 沟道（相角）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：295A；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：*
系列：-
FET类型：2 N 沟道（相角）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：295A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：9 毫欧 @ 200A，20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 40mA（标准）
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：644nC @ 20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：11000pF @ 1000V
功率-最大值：1250W
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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