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19MT050XF

19MT050XF

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是威世半导体公司二极管部的19MT050XF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下：包装：散装；系列：HEXFET®；FET类型：4 个 N 通道（H 桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：500V；


  • 厂商：威世半导体公司二极管部
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：HEXFET®
  • FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：500V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：31A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：220 毫欧 @ 19A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：6V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：160nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：7210pF @ 25V
  • 功率-最大值：1140W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：16-MTP
  • 供应商器件封装：16-MTP
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