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综述介绍

GWM160-0055P3

GWM160-0055P3

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是IXYS的GWM160-0055P3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：6 N-沟道（3 相桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：55V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：160A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：55V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：160A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 毫欧 @ 100A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：90nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：ISOPLUS-DIL™
供应商器件封装：ISOPLUS-DIL™

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