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综述介绍

VMM1000-01P

VMM1000-01P

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是IXYS的VMM1000-01P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1000A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1000A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.2 欧姆 @ 800A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 10mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：2355nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：-
安装类型：底座安装
封装/外壳：Y3-Li
供应商器件封装：Y3-Li

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