Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 模块 > VWM200-01P

综述介绍

VWM200-01P

VWM200-01P

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是IXYS的VWM200-01P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：6 N-沟道（3 相桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：210A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：210A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.2 毫欧 @ 100A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 2mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：430nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：-
安装类型：通孔
封装/外壳：V2-PAK
供应商器件封装：V2-PAK

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号