APTC80DDA29T3G
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTC80DDA29T3G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下:包装:散装;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):800V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A;
- 厂商:美高森美电源产品集团有限公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 模块/
- 主要规格参数:
-
- 包装:散装
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):800V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):2254pF @ 25V
- 功率-最大值:156W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SP3
- 供应商器件封装:SP3