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APTC80DDA29T3G

APTC80DDA29T3G

发布时间:2015-08-19
简介:

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTC80DDA29T3G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下:包装:散装;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):800V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A;


  • 厂商:美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别: 分立半导体产品/FET - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:散装
  • 系列:-
  • FET类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):800V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):2254pF @ 25V
  • 功率-最大值:156W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP3
  • 供应商器件封装:SP3
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