APTM100DA18T1G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTM100DA18T1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40A；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：216 毫欧 @ 33A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：570nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：14800pF @ 25V
功率-最大值：657W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP1
供应商器件封装：SP1

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