APTM120UM95FAG

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTM120UM95FAG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：103A；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 模块/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：103A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：114 毫欧 @ 51.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 15mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1122nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：30900pF @ 25V
功率-最大值：2272W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP6
供应商器件封装：SP6

PDF 下载