CAS100H12AM1
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是科锐公司的CAS100H12AM1的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下:包装:散装;系列:Z-FET™;FET类型:2 个 N 通道(半桥);FET功能:碳化硅 (SiC);漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV);
- 厂商:科锐公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 模块/
- 主要规格参数:
-
- 包装:散装
- 系列:Z-FET™
- FET类型:2 个 N 通道(半桥)
- FET功能:碳化硅 (SiC)
- 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):168A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):20 毫欧 @ 20A,20V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.1V @ 50mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):9500pF @ 800V
- 功率-最大值:568W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:模块