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综述介绍

SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的SI1026X-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：305mA；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：305mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：0.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：30pF @ 25V
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SC-89-6

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