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SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是威世硅尼克斯的SI1922EDH-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：TrenchFET®
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.3A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：198 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：2.5nC @ 8V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
  • 功率-最大值：1.25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：SC-70-6（SOT-363）
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