Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 阵列 > QS6M3TR

综述介绍

QS6M3TR

QS6M3TR

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的QS6M3TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V，20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V，20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：230 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：80pF @ 10V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：TSMT6

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号