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综述介绍

SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的SI7938DP-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：40V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：TrenchFET®
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.8 毫欧 @ 18.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：65nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2300pF @ 20V
功率-最大值：46W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装：PowerPAK® SO-8 Dual

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