SI7540DP-T1-E3
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是威世硅尼克斯的SI7540DP-T1-E3的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:TrenchFET®;FET类型:N 和 P 沟道;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):12V;
- 厂商:威世硅尼克斯
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:TrenchFET®
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):12V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.6A,5.7A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):17 毫欧 @ 11.8A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):-
- 功率-最大值:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 双
- 供应商器件封装:PowerPAK® SO-8 Dual