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综述介绍

SSM6N35FE,LM

SSM6N35FE,LM

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的SSM6N35FE,LM的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：180mA；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：180mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，4V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：9.5pF @ 3V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）

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