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SSM6N44FE,LM

SSM6N44FE,LM

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是东芝半导体的SSM6N44FE,LM的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100mA；


  • 厂商：东芝半导体
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100mA
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4 欧姆 @ 10mA，4V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 100µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：8.5pF @ 3V
  • 功率-最大值：150mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）
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