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AO4614B

AO4614B

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是万国半导体元件有限公司的AO4614B的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A，5A；


  • 厂商：万国半导体元件有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：40V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A，5A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：30 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：10.8nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：650pF @ 20V
  • 功率-最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC
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