DMG6601LVT-7

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMG6601LVT-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.8A，2.5A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.8A，2.5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：55 毫欧 @ 3.4A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：12.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：422pF @ 15V
功率-最大值：850mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：TSOT-26

PDF 下载