ZXMHC10A07N8TC

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的ZXMHC10A07N8TC的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：800mA，680mA；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：800mA，680mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：700 毫欧 @ 1.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：2.9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：138pF @ 60V
功率-最大值：870mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP

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