SSM6N58NU,LF

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的SSM6N58NU,LF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：84毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：129pF @ 15V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-UDFN（2x2）

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