CSD87588N
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是德州仪器的CSD87588N的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:NexFET™;FET类型:2 个 N 通道(半桥);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:德州仪器
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:NexFET™
- FET类型:2 个 N 通道(半桥)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):25A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):9.6 毫欧 @ 15A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):4.1nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):736pF @ 15V
- 功率-最大值:6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:5-XFLGA
- 供应商器件封装:5-PTAB(3x2.5)