ZXMD63P02XTA
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是Diodes公司的ZXMD63P02XTA的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;FET类型:2 个 P 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):20V;不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):270 毫欧 @ 1.2A,4.5V;
- 厂商:Diodes公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:2 个 P 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):-
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):270 毫欧 @ 1.2A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA(最小)
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5.25nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):290pF @ 15V
- 功率-最大值:1.04W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:8-MSOP