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综述介绍

QS6K21TR

QS6K21TR

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的QS6K21TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：45V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：45V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：TSMT6

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