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综述介绍

CSD86330Q3D

CSD86330Q3D

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是德州仪器的CSD86330Q3D的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：NexFET™；FET类型：2 个 N 通道（半桥）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：25V；

厂商：德州仪器
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：NexFET™
FET类型：2 个 N 通道（半桥）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：9.6 毫欧 @ 14A，8V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.2nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：920pF @ 12.5V
功率-最大值：6W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-LDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-SON（3.3x3.3）

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