BSS84AKS,115

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的BSS84AKS,115的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：2 个 P 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：50V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：160mA；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 P 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：50V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：160mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：0.35nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：36pF @ 25V
功率-最大值：445mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：6-TSSOP

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