NTJD4158CT1G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NTJD4158CT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V，20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA，880mA；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V，20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA，880mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.5nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：33pF @ 5V
功率-最大值：270mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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