中电网
中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > FET - 阵列  >  NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的NTJD1155LT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：8V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.3A；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：8V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.3A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
  • 功率-最大值：400mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099