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NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的NTJD1155LT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：8V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.3A；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：8V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.3A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
  • 功率-最大值：400mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
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