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综述介绍

SM6K2T110

SM6K2T110

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的SM6K2T110的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：4.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：15pF @ 10V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：SMT6

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