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FDMB3800N

FDMB3800N

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是飞兆半导体公司的FDMB3800N的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：PowerTrench®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：PowerTrench®
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.8A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：40 毫欧 @ 4.8A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.6nC @ 5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：465pF @ 15V
  • 功率-最大值：750mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-MLP，MicroFET™
  • 供应商器件封装：8-MLP，MicroFET（3x1.9）
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