Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 阵列 > ZXMC3AMCTA

综述介绍

ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的ZXMC3AMCTA的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.9A，2.1A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.9A，2.1A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：120 毫欧 @ 2.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：3.9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：190pF @ 25V
功率-最大值：1.7W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN（3x2）

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号