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综述介绍

SSM6P41FE(TE85L,F)

SSM6P41FE(TE85L,F)

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的SSM6P41FE(TE85L,F)的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 个 P 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：720mA；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 P 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：720mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：300 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.76nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：110pF @ 10V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）

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