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综述介绍

US6M11TR

US6M11TR

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的US6M11TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V，12V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A，1.3A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V，12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A，1.3A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：110pF @ 10V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：UMT6

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