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综述介绍

DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMN2016UTS-13的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8.58A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 N 沟道（双）共漏
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8.58A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：16.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1495pF @ 10V
功率-最大值：880mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP

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