DMG4511SK4-13

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMG4511SK4-13的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道，共漏；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：35V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.3A，5A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道，共漏
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：35V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.3A，5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：35 毫欧 @ 8A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：18.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：850pF @ 25V
功率-最大值：1.54W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
供应商器件封装：TO-252-4L

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