FDMB2307NZ
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是飞兆半导体公司的FDMB2307NZ的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:PowerTrench®;FET类型:2 N 沟道(双)共漏;FET功能:逻辑电平门;不同Vgs时的栅极电荷(Qg):28nC @ 5V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:PowerTrench®
- FET类型:2 N 沟道(双)共漏
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):-
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):-
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):-
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):28nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):-
- 功率-最大值:800mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-MLP