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综述介绍

BSC750N10ND G

BSC750N10ND G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的BSC750N10ND G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：OptiMOS™；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.2A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：75 毫欧 @ 13A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 12µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：11nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：720pF @ 50V
功率-最大值：26W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

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